Samsung–ը հիշողության դարաշրջան է բացում 3D-չիպերի միջոցով
07.08.2013,
15:22
Samsung Electronics ընկերությունը հայտարարել է 16 ԳԲ տարողունակության NAND ֆլեշ–հիշողության նոր չիպերի զանգվածային արտադրության մասին։ Նոր միկրոսխեմաներում առաջին անգամ արդյունաբերական ծավալներով իրագործվել է 3D V-NAND ծավալային կառուցվածքում խորշերի տեղադրման տեխնոլոգիան։
ԵՐԵՎԱՆ, 7 օգոստոսի. /ԱՌԿԱ/. Samsung Electronics ընկերությունը հայտարարել է 16 ԳԲ տարողունակության NAND ֆլեշ–հիշողության նոր չիպերի զանգվածային արտադրության մասին։ Նոր միկրոսխեմաներում առաջին անգամ արդյունաբերական ծավալներով իրագործվել է 3D V-NAND ծավալային կառուցվածքում խորշերի տեղադրման տեխնոլոգիան։
40 տարի առաջ հայտնվելու պահից մինչև օրս ֆլեշ–հիշողությունն իրենից ներկայացնում էր երկչափ խորշերի կառուցվածք։ Տեղեկություն պահելու խտությունը բարձրացնելը մինչ այս պահը հնարավոր էր տալիս արտադրական տեխնոլոգիական գործընթացի կրճատման հաշվին։ Սակայն տեխնոլոգիական գործընթացի` հիշողության խորշերի միջև 10 նմ–անոց նորմին մոտենալիս սկսեց ինտերֆերենցիա զարգանալ, ինչի արդյունքում տվյալների պահման հուսալիությունը նվազեց թույլատրելի շեմից ցածր։
3D V-NAND տեխնոլոգիան կոչված է լուծել այդ խնդիրը` հետագայում տվյալներ պահելու խտության բարձրացման նոր եղանակ բացել` պահպանելով այնպիսի տեխնոլոգիական նորմ, որը կապահովի հուսալիության անհրաժեշտ մակարդակ, հաղորդում է cnews.ru–ն։ -0-
40 տարի առաջ հայտնվելու պահից մինչև օրս ֆլեշ–հիշողությունն իրենից ներկայացնում էր երկչափ խորշերի կառուցվածք։ Տեղեկություն պահելու խտությունը բարձրացնելը մինչ այս պահը հնարավոր էր տալիս արտադրական տեխնոլոգիական գործընթացի կրճատման հաշվին։ Սակայն տեխնոլոգիական գործընթացի` հիշողության խորշերի միջև 10 նմ–անոց նորմին մոտենալիս սկսեց ինտերֆերենցիա զարգանալ, ինչի արդյունքում տվյալների պահման հուսալիությունը նվազեց թույլատրելի շեմից ցածր։
3D V-NAND տեխնոլոգիան կոչված է լուծել այդ խնդիրը` հետագայում տվյալներ պահելու խտության բարձրացման նոր եղանակ բացել` պահպանելով այնպիսի տեխնոլոգիական նորմ, որը կապահովի հուսալիության անհրաժեշտ մակարդակ, հաղորդում է cnews.ru–ն։ -0-