Samsung–ը նոր սերնդի հիշողության միկրոսխեմաների արտադրություն է սկսել
02.09.2013,
19:57
Samsung Electronics ընկերությունը հայտարարել է 4 Գբիթ տարողունակության DDR4 հիշողության միկրոսխեմաների թողարկման մեկնարկի մասին։ Չիպերն արտադրվում են տեխնոլոգիական 20–նմ նորմի հիման վրա, գրում է cnews.ru–ն։
ԵՐԵՎԱՆ, 2 սեպտեմբերի. /ԱՌԿԱ/. Samsung Electronics ընկերությունը հայտարարել է 4 Գբիթ տարողունակության DDR4 հիշողության միկրոսխեմաների թողարկման մեկնարկի մասին։ Չիպերն արտադրվում են տեխնոլոգիական 20–նմ նորմի հիման վրա, գրում է cnews.ru–ն։
DDR (Double-Data-Rate)–ը հաշվիչ տեխնիկայում որպես RAM օգտագործվող տվյալների փոխանցման կրկնակի արագության հիշողություն է։ Samsung–ում կարծում են, որ չորրորդ սերնդի DDR հիշողությունը լայն կիրառում կգտնի, նախևառաջ, սերվերային ինդուստրիայում` նոր սերնդի տվյալների կենտրոնների շինարարության մեջ։
Նոր չիպերի հիման վրա ընկերությունը մշակել է 16 և 32 ԳԲ տարողունակության SDRAM հիշողության մոդուլներ, ինչը 2-4 անգամ գերազնացում է այսօր տարածված 8 ԳԲ տարողունակության մոդուլները, որոնք արտադրվում են 30–նմ տեխգործընթացի հիման վրա։
Նոր հիշողության մուտքը զանգվածային արտադրություն` Samsung–ի հերթական քայլն է իր պորտֆելի ընդլայնման ուղղությամբ։ 2008 թվականին ընկերությունը ներկայացրել է 2 Գբիթ տարողութնակության DDR3 հիշողության միկրոսխեմաներ` տեխնոլոգիական 50–նմ նորմի հիման վրա, իսկ ավելի վաղ` 2013 թվականին, անցել է 16 ԳԲ տարողունակության DDR3 մոդուլների թողարկմանը։ -0-
DDR (Double-Data-Rate)–ը հաշվիչ տեխնիկայում որպես RAM օգտագործվող տվյալների փոխանցման կրկնակի արագության հիշողություն է։ Samsung–ում կարծում են, որ չորրորդ սերնդի DDR հիշողությունը լայն կիրառում կգտնի, նախևառաջ, սերվերային ինդուստրիայում` նոր սերնդի տվյալների կենտրոնների շինարարության մեջ։
Նոր չիպերի հիման վրա ընկերությունը մշակել է 16 և 32 ԳԲ տարողունակության SDRAM հիշողության մոդուլներ, ինչը 2-4 անգամ գերազնացում է այսօր տարածված 8 ԳԲ տարողունակության մոդուլները, որոնք արտադրվում են 30–նմ տեխգործընթացի հիման վրա։
Նոր հիշողության մուտքը զանգվածային արտադրություն` Samsung–ի հերթական քայլն է իր պորտֆելի ընդլայնման ուղղությամբ։ 2008 թվականին ընկերությունը ներկայացրել է 2 Գբիթ տարողութնակության DDR3 հիշողության միկրոսխեմաներ` տեխնոլոգիական 50–նմ նորմի հիման վրա, իսկ ավելի վաղ` 2013 թվականին, անցել է 16 ԳԲ տարողունակության DDR3 մոդուլների թողարկմանը։ -0-